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半導体  [ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 13,233件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
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    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タイプ:反転、非反転・ハイサイド電圧 -
    412.33 税込¥453.56
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    インフィニオン
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):3A、3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):200V
    952.64 税込¥1,047.90
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    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 1.7A、10V・
    308.58 税込¥339.43
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    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印
    242.86 税込¥267.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 5
    80.60 税込¥88.66
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):110A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 62A、10V・Id印加時の
    287.15 税込¥315.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.95ミリオーム @ 60A、10
    328.58 税込¥361.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:1.55GHz~1.615GHz・P1dB:-16dBm・ゲイン:20dB・雑音指数:0.65dB・RFタイプ:GPS/GNSS・電圧 - 供給:1.5V~3.6V・電流 - 供給:3.6mA・テスト周波数:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:6-XFDFN・サプライヤデバイスパッケー
    92.54 税込¥101.79
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):63ミリオーム @
    101.50 税込¥111.65
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2552-10
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    2,393個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:55V・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):70mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.9ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考
    274.00 税込¥301.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時の
    135.83 税込¥149.41
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):75A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):6.5ミリオーム @ 66A、10V・Id印加時
    287.15 税込¥315.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 10A、10V・I
    201.43 税込¥221.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    44個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):71mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.7ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考:●全
    280.00 税込¥308.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・用途:電源管理 - 通信、ストレージ、エンベデッド組み込みコンピューティング&高密度マルチレールシステム・電流 - 供給:40mA・電圧 - 供給:6V~14V・動作温度:-40°C~85°C(TA)・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:56-PowerVFQFN・サプライヤデバイスパッケージ:5
    1,316.48 税込¥1,448.12
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:SupIRBuck®・機能:ステップダウン・出力構成:ポジティブ・トポロジ:バック・出力タイプ:可変・出力数:1・電圧 - 入力(最小):1.2V・電圧 - 入力(最大):21V・電圧 - 出力(最小/固定):0.5V・電圧 - 出力(最大):18.38V・電流 - 出力:6A・周波数 - スイッチング:40
    693.34 税込¥762.67
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15.5ミリオーム @ 33A、10V・Id印
    811.85 税込¥893.03
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ CFD7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):33A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @
    1,151.25 税込¥1,266.37
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):450ミリオーム @ 4.5A、
    424.29 税込¥466.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向(最大):4V・電流 - 最大:130mA・Vr、F印加時の静電容量:0.75pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗:15オーム @ 5mA、10kHz・電力散逸(最大):150mW・動作温度:150°C(TJ)・パッケージ
    92.54 税込¥101.79
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:EiceDriver™・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:-・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):10ns、9ns・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向
    228.93 税込¥251.82
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:EiceDriver™・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:-・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):10ns、9ns・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向(
    500.00 税込¥550.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDriver™・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:-・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):10ns、9ns・電流 - 出力高、低:-・電流 - ピーク出力:-・電圧 - 順方向
    500.00 税込¥550.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:Single Phase・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):70V・電流 - 平均整流(Io):140mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.3V @ 100mA・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:200nA @ 500V・動作温度:150°C(TJ)・取り付け
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):210mA、360mA・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ
    626.67 税込¥689.33
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:Automotive, AEC-Q100・技術:ホール効果・軸:シングル・出力タイプ:アナログ電圧・センシング範囲:±400mT・電圧 - 供給:4.5V~18V・電流 - 供給(最大):7mA・電流 - 出力(最大):8mA・分解能:-・帯域幅:8kHz・動作温度:-40°C~155°C・特長:-・サプライ
    665.34 税込¥731.87
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):33A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):44ミリオーム @ 16A、10V・Id印加時
    217.15 税込¥238.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小10個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:-・IGBTタイプ:トレンチ型フィールドストップ・構成:2独立・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):700A・電力 - 最大:1650W・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.9V @ 15V、600A・電流 - コレクタ遮断(最大):5mA・入力静電容量(
    29,461.81 税込¥32,407.99
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:NovalithIC™・出力構成:ハーフブリッジ・用途:DCモータ、汎用・インターフェース:論理・負荷タイプ:誘導性・技術:DMOS・Rds On(標準):9ミリオームLS、7ミリオームHS・電流 - 出力/チャンネル:40A・電流 - ピーク出力:60A・電圧 - 供給:5.5V~27.5V・電圧 - 負荷:5.5V~2
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・ダイオードタイプ:Single Phase・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):70V・電流 - 平均整流(Io):140mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.3V @ 100mA・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:200nA @ 500V・動作温度:150°C(TJ)・取り付けタ
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:6V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2.3A、3.3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-
    517.81 税込¥569.59
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・タイプ:ハロゲンコントローラ・周波数:34kHz~70kHz・電圧 - 供給:11.5V~16.5V・電流 - 供給:10mA・電流 - 出力ソース/シンク:-・調光:あり・動作温度:-25°C~125°C・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケース:8-DIP(0.300インチ、7.62mm)・サプライヤデバイ
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小400個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:Automotive, AEC-Q101・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):60A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):120A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.5V @ 15V、31A・電力 - 最大:160W・スイッチング
    712.49 税込¥783.73
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・IGBTタイプ:-・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600V・電流 - コレクタ(Ic)(最大):60A・電流 - パルス形コレクタ(Icm):120A・Vce(on)(最大) @ Vge、Ic:1.5V @ 15V、31A・電力 - 最大:160W・スイッチングエネルギー:450µJ(オン)、6.5
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12V・周波数 - トランジション:6GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):1.5dB~2.6dB @ 900MHz~1.8GHz・ゲイン:10.5dB~15.5dB・電力 - 最大:300mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):95ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時のVgs(t
    330.00 税込¥363.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時の
    185.72 税込¥204.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDriver™・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:シングル・ドライバ数:1・ゲートタイプ:NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:4.5V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:-・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):4A、8A・入力タイプ:反転、非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートス
    171.43 税込¥188.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):80V・電流 - 平均整流(Io):250mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.25V @ 150mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):4ns・電流 - Vr印加時の逆方
    56.15 税込¥61.76
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:Single Phase・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):70V・電流 - 平均整流(Io):140mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.3V @ 100mA・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:200nA @ 500V・動作温度:150°C(TJ)・取り付け
    13.46 税込¥14.80
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・ダイオードタイプ:PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):150V・電流 - 最大:100mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 20V、1MHz・If、F印加時の抵抗:1.35オーム @ 100mA、100MHz・電力散逸(最大):250mW・動作温度:150°C(TJ)・パッケー
    68.66 税込¥75.52
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):150V・電流 - 最大:100mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 20V、1MHz・If、F印加時の抵抗:1.35オーム @ 100mA、100MHz・電力散逸(最大):250mW・動作温度:150°C(TJ)・パッケ
    68.66 税込¥75.52
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    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:CoolSiC™+・ダイオードタイプ:シリコンカーバイドショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200V・電流 - 平均整流(Io):2A(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.65V @ 2A・速度:回復時間なし > 500mA(Io)・逆回復時間(trr):0ns・電流
    198.18 税込¥217.99
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    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 5.
    80.60 税込¥88.66
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):600ミリオーム @ 2.9A、1
    180.00 税込¥198.00
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    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・駆動構成:フルブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:1・ゲートタイプ:NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~15.6V・論理電圧 - VIL、VIH:4.7V、9.3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):180mA、260mA・入力タイプ:RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最大(ブ
    427.15 税込¥469.86
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):104A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8ミリオーム @ 54A、10V・Id印
    428.77 税込¥471.64
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    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):23A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):117ミリオーム @ 13A、10V・Id印加時
    427.15 税込¥469.86
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):250V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):64A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):20ミリオーム @ 64A、1
    1,147.44 税込¥1,262.18
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