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検索結果 13,911件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、3V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):210mA、360mA・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ
    626.67 税込¥689.33
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2418-12
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    自社在庫数:
    999個
    商品説明
    デジタルアンプのFETをコントロールするゲートドライバーです。 アナログ入力をPWM周波数モジューレーションしてFETのGateを駆動します。過電圧、減電圧、過電流など各種プロテクションが内蔵されています。  【主な仕様】 Voffset ±100V、GateDriver Io+ 1.0A Io- 1.2A 、PWM周波数:MAX800KHz【仕様】・パッケージ:PD
    654.00 税込¥719.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):290mA、600mA・入力タイプ:反転、非反転・ハイサイド電圧 -
    412.33 税込¥453.56
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:6V、9.5V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):3A、3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):200V
    952.64 税込¥1,047.90
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印
    242.86 税込¥267.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.2ミリオーム @ 40A、10V・
    270.00 税込¥297.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:CoolMOS™ P7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 1.7A、10V・
    308.58 税込¥339.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):5.8A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):24ミリオーム @ 5
    80.60 税込¥88.66
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):260A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.95ミリオーム @ 60A、10
    328.58 税込¥361.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.7A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時の
    135.83 税込¥149.41
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):160ミリオーム
    77.62 税込¥85.38
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・周波数:1.55GHz~1.615GHz・P1dB:-16dBm・ゲイン:20dB・雑音指数:0.65dB・RFタイプ:GPS/GNSS・電圧 - 供給:1.5V~3.6V・電流 - 供給:3.6mA・テスト周波数:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:6-XFDFN・サプライヤデバイスパッケー
    92.54 税込¥101.79
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):16A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):115ミリオーム @ 10A、1
    204.29 税込¥224.71
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 10A、10V・I
    201.43 税込¥221.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    自社在庫数:
    44個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):71mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.7ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考:●全
    280.00 税込¥308.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    箱番号:
    2552-10
    箱番号の使い方
    出荷予定日:
    自社在庫数:
    2,393個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ:TO-220Full-Pak・構造:・VDSS:55V・ID:14A・Pc(Tc=25℃):29W・VGS(OFF):・Yfs(min):・RDS(max):70mΩ(Vgs=10V Id=7.8A)・Qg:20nC (最大)・Td(on):4.9ns (標準) (Vdd=28V Id=10A Rg=24Ω)・コンプリ:・用途:・入数:1個・備考
    274.00 税込¥301.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:NおよびPチャンネル・FET機能:標準・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A、3A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):50ミリオーム @ 2.4A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):1V @ 250µA・V
    181.43 税込¥199.57
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:EiceDriver™・技術:磁気性カップリング・チャンネル数:1・電圧 - 絶縁:4500Vrms・コモンモード過渡耐性(最小):-・伝搬遅延tpLH/tpHL(最大):-・パルス幅歪み(最大):-・立ち上がり/立ち下がり時間(標準):30ns、50ns・電流 - 出力高、低:2A、2A・電流 - ピーク出
    765.34 税込¥841.87
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.4A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):160ミリオーム @
    73.14 税込¥80.45
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・スイッチタイプ:汎用・出力数:1・レシオ - 入力:出力:1:1・出力構成:ハイサイド・出力タイプ:Nチャンネル・インターフェース:オン/オフ・電圧 - 負荷:5V~28V・電圧 - 電源(Vcc/Vdd):不要・電流 - 出力(最大):3A・Rds On(標準):90ミリオーム・入力タイプ:-・特長:-
    308.58 税込¥339.43
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):480ミリオーム @ 1
    85.08 税込¥93.58
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    MOSFET N 75V TO-220AB Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:120A Drain Source Voltage Vds:75V On Resistance Rds(on):5.8mohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V Threshold
    596.00 税込¥655.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):100A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):3.4ミリオーム @ 100A
    135.17 税込¥148.68
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):200mA、350mA・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(
    352.86 税込¥388.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):4.7V・周波数 - トランジション:42GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):0.5dB~0.85dB @ 1.8GHz~6GHz・ゲイン:27dB・電力 - 最大:160mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(
    119.41 税込¥131.35
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    IC MOSFET DRIVER HIGH/LOW SIDE DIP-14 Driver Configuration:High Side and Low Side Peak Output Current:2.5A Supply Voltage Min:10V Supply Voltage Max:20V Driver Case Style:DIP No. of
    741.00 税込¥815.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):3V・電流 - 最大:100mA・Vr、F印加時の静電容量:0.85pF @ 0.2V、1MHz・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):100mW・動作温度:150°C(TJ)・パッケージ/ケース:SC-79、SOD-52
    101.50 税込¥111.65
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    MOSFET P -55V -74A TO-220 Transistor Polarity:P Channel Continuous Drain Current Id:-74A Drain Source Voltage Vds:-55V On Resistance Rds(on):20mohm Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V Thr
    591.00 税込¥650.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小350個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:6V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2.3A、3.3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12V・周波数 - トランジション:6GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):1.5dB~2.6dB @ 900MHz~1.8GHz・ゲイン:10.5dB~15.5dB・電力 - 最大:300mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小2,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・タイプ:トランシーバ・プロトコル:CANbus・ドライバ/レシーバ数:1/1・デュプレックス:ハーフ・受信機ヒステリシス:100mV・データレート:1Mbps・電圧 - 供給:4.75V~5.25V・動作温度:-・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
    115.40 税込¥126.94
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小5個から購入可能
    5個単位で購入可能
    商品説明
    MOSFET & DIODE N CH 40V 3.6A SOT23 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:3.6A Drain Source Voltage Vds:40V On Resistance Rds(on):0.044ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10
    115.00 税込¥126.00
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:CoolSiC™+・ダイオードタイプ:シリコンカーバイドショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200V・電流 - 平均整流(Io):2A(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.65V @ 2A・速度:回復時間なし > 500mA(Io)・逆回復時間(trr):0ns・電流 - Vr印加時
    550.67 税込¥605.73
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.9A、2.3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブ
    628.00 税込¥690.80
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:同期・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):1.9A、2.3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブー
    628.00 税込¥690.80
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・駆動構成:ハーフブリッジ・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:10V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):200mA、350mA・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大
    352.86 税込¥388.14
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12V・周波数 - トランジション:6GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):1.5dB~2.6dB @ 900MHz~1.8GHz・ゲイン:10.5dB~15.5dB・電力 - 最大:300mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    19.30 税込¥21.23
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):36A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):26.5ミリオーム @ 22A、10V・Id印
    235.72 税込¥259.29
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™ G7・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):650V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):125ミリオーム @ 6
    867.11 税込¥953.82
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):300A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):0.77ミリオーム @ 100A
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・駆動構成:ローサイド・チャンネルタイプ:独立・ドライバ数:2・ゲートタイプ:IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給:6V~20V・論理電圧 - VIL、VIH:0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力(ソース/シンク):2.3A、3.3A・入力タイプ:非反転・ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ):-
    517.81 税込¥569.59
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):12V・周波数 - トランジション:6GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):1.5dB~2.6dB @ 900MHz~1.8GHz・ゲイン:10.5dB~15.5dB・電力 - 最大:300mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイ
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    最小500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:NovalithIC™・出力構成:ハーフブリッジ・用途:DCモータ、汎用・インターフェース:論理・負荷タイプ:誘導性・技術:DMOS・Rds On(標準):9ミリオームLS、7ミリオームHS・電流 - 出力/チャンネル:40A・電流 - ピーク出力:60A・電圧 - 供給:5.5V~27.5V・電圧 - 負荷:5.5V~2
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:Automotive, AEC-Q100・技術:ホール効果・軸:シングル・出力タイプ:アナログ電圧・センシング範囲:±400mT・電圧 - 供給:4.5V~18V・電流 - 供給(最大):7mA・電流 - 出力(最大):8mA・分解能:-・帯域幅:8kHz・動作温度:-40°C~155°C・特長:-・サプライ
    665.34 税込¥731.87
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    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):450ミリオーム @ 4.5A、
    424.29 税込¥466.71
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):17A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):90ミリオーム @ 9A、10V・Id印加時の
    185.72 税込¥204.29
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:CoolMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):800V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):450ミリオーム @ 4.5A
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):78A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15.5ミリオーム @ 33A、10V・Id印
    811.85 税込¥893.03
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):5.8V・周波数 - トランジション:22GHz・雑音指数(fあたりの標準dB):0.7dB~1.2dB @ 100MHz~3GHz・ゲイン:12.5dB~26.5dB・電力 - 最大:230mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲ
    108.96 税込¥119.85
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