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ディスクリート半導体製品（DigiKey）

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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【RB520SM-30T2R】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

    【RB520SM-30T2R】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：580mV @ 200mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
    ￥64.92 税込￥71.41
  • 2

    【AFT05MS004NT1】FET RF 30V 520MHZ PLD

    【AFT05MS004NT1】FET RF 30V 520MHZ PLD
    メーカー名：
    NXP
    型番：
    出荷予定日：
    最小1,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：LDMOS・周波数：520MHz・ゲイン：20.9dB・電圧 - テスト：7.5V・定格電流（A）：-・雑音指数：-・電流 - テスト：100mA・電源 - 出力：4.9W・電圧 - 定格：30V・パッケージ/ケース：TO-243AA・サプライヤデバイスパッケージ：SOT-89A
    ￥341.35 税込￥375.48
  • 3

    【MCC95-14IO8B】MOD THYRISTOR DUAL 1400V TO240AA

    【MCC95-14IO8B】MOD THYRISTOR DUAL 1400V TO240AA
    メーカー名：
    IXYS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・構造：直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数：2 SCRs・電圧 - オフ状態：1.4kV・電流 - オン状態（It（AV））（最大）：116A・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：180A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：2.5V・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：150mA・電流
    ￥5,459.10 税込￥6,005.01
  • 4

    【SMV1234-079LF】DIODE VARACTOR 15V 20MA SC-79

    【SMV1234-079LF】DIODE VARACTOR 15V 20MA SC-79
    メーカー名：
    Skyworks Solutions Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・Vr、F印加時の静電容量：2pF @ 6V、50MHz・静電容量比：3.4・静電容量比条件：C1/C6・電圧 - ピーク逆方向（最大）：15V・ダイオードタイプ：シングル・Vr、F印加時のQ：-・動作温度：-55°C～125°C（TJ）・取り付けタイプ：面実装・パッケージ/ケース：SC-79、SOD-52
    ￥185.72 税込￥204.29
  • 5

    【MRF174】FET RF 65V 150MHZ 211-11

    【MRF174】FET RF 65V 150MHZ 211-11
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：Nチャンネル・周波数：150MHz・ゲイン：11.8dB・電圧 - テスト：28V・定格電流（A）：13A・雑音指数：3dB・電流 - テスト：2A・電源 - 出力：125W・電圧 - 定格：65V・パッケージ/ケース：211-11、スタイル2・サプライヤデバイスパッケージ：211-11、スタイル2
    ￥8,994.32 税込￥9,893.75
  • 6

    【MRF422】RF TRANS NPN 35V 211-11

    【MRF422】RF TRANS NPN 35V 211-11
    メーカー名：
    MACOM Technology Solutions
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：トレイ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：35V・周波数 - トランジション：-・雑音指数（fあたりの標準dB）：-・ゲイン：13dB・電力 - 最大：150W・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：15 @ 5A、5V・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：20A・動作
    ￥15,310.00 税込￥16,841.00
  • 7

    【BY269TR】DIODE AVALANCH 1.6KV 800MA SOD57

    【BY269TR】DIODE AVALANCH 1.6KV 800MA SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：1600V・電流 - 平均整流（Io）：800mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.25V @ 400mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：400ns・電流 - Vr印加時
    ￥144.78 税込￥159.25
  • 8

    【DTB123EKT146】TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

    【DTB123EKT146】TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：2.2 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：2.2 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：
    ￥73.14 税込￥80.45
  • 9

    【2SC2411KT146Q】TRANS NPN 32V 0.5A SOT-346 [digi-reel品] DigiReel商品

    【2SC2411KT146Q】TRANS NPN 32V 0.5A SOT-346 [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：32V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：600mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：1µA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最
    ￥88.06 税込￥96.86
  • 10

    【ULQ2804A】TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

    【ULQ2804A】TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100
    ￥464.39 税込￥510.82
  • 11

    【STPS160H100TV】DIODE MODULE 100V 80A ISOTOP

    【STPS160H100TV】DIODE MODULE 100V 80A ISOTOP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・ダイオード構成：2独立・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：100V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：80A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：800mV @ 80A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥3,509.10 税込￥3,860.01
  • 12

    【FMB2227A】TRANS NPN/PNP 30V 0.5A 6SSOT [digi-reel品] DigiReel商品

    【FMB2227A】TRANS NPN/PNP 30V 0.5A 6SSOT [digi-reel品]
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN、PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：30V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.4V @ 30mA、300mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：30nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hF
    ￥77.62 税込￥85.38
  • 13

    【BT139-600E/DG,127】TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB

    【BT139-600E/DG,127】TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB
    メーカー名：
    WeEn Semiconductors Co. Ltd
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態：600V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：16A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.5V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：155A、170A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：10mA・電流 -
    ￥180.00 税込￥198.00
  • 14

    【BTA40-800B】TRIAC 800V 40A RD-91

    【BTA40-800B】TRIAC 800V 40A RD-91
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・トライアックタイプ：標準・電圧 - オフ状態：800V・電流 - オン状態（It（RMS））（最大）：40A・電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大）：1.3V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz（Itsm）：400A、420A・電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大）：50mA・電流 - ホールド（Ih）（最大
    ￥1,431.04 税込￥1,574.14
  • 15

    【IRFI840GPBF】MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3

    【IRFI840GPBF】MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVg
    ￥482.20 税込￥530.42
  • 16

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

    【1N5626-TR】DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600V・電流 - 平均整流（Io）：3A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1V @ 3A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：7.5µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1µA
    ￥192.86 税込￥212.14
  • 17

    【LND150N3-G】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

    【LND150N3-G】MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
    メーカー名：
    Microchip
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バッグ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：30mA（Tj）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1000オーム @ 500µA、0V・Id印加時のVgs（t
    ￥104.48 税込￥114.92
  • 18

    【IRF540SPBF】MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

    【IRF540SPBF】MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：28A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：77ミリオーム @ 17A、10V・Id印加時のVgs（t
    ￥394.29 税込￥433.71
  • 19

    【ULQ2803A】TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

    【ULQ2803A】TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：100
    ￥464.39 税込￥510.82
  • 20

    【DTC643TKT146】TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

    【DTC643TKT146】TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：600mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：20V・抵抗 - ベース（R1）：4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：820 @ 50
    ￥70.15 税込￥77.16
  • 21

    【1N5062TR】DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

    【1N5062TR】DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：アバランチ・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：800V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.15V @ 2.5A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：4µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：
    ￥126.87 税込￥139.55
  • 22

    【SSM3K123TU,LF】MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM

    【SSM3K123TU,LF】MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：U-MOSIII・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.2A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 3
    ￥94.03 税込￥103.43
  • 23

    【MJE182G】TRANS NPN 80V 3A TO225AA

    【MJE182G】TRANS NPN 80V 3A TO225AA
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：3A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：80V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：1.7V @ 600mA、3A・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：50 @ 100
    ￥110.45 税込￥121.49
  • 24

    【DTC143XKAT146】TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

    【DTC143XKAT146】TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・抵抗 - ベース（R1）：4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース（R2）：10 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：3
    ￥43.86 税込￥48.24
  • 25

    【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO

    【DMHC3025LSD-13】MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
    メーカー名：
    Diodes Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル2個およびPチャンネル2個（Hブリッジ）・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：25ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs（th）（
    ￥167.15 税込￥183.86
  • 26

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR

    【CSD87501L】MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
    メーカー名：
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：NexFET™・FETタイプ：2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン・FET機能：論理レベルゲート・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：-・Id印加時のVgs（th）（最大）：2.3V @ 250µA・Vgs印加
    ￥181.43 税込￥199.57
  • 27

    【DMN3404L-7】MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

    【DMN3404L-7】MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
    メーカー名：
    Diodes Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：5.8A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：3V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：28ミリオーム @ 5.8A、10V・
    ￥80.60 税込￥88.66
  • 28

    【RRE02VTM6SFHTR】RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO [digi-reel品] DigiReel商品

    【RRE02VTM6SFHTR】RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：Automotive, AEC-Q101・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：600V・電流 - 平均整流（Io）：200mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1V @ 200mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流
    ￥86.57 税込￥95.22
  • 29

    【PMEG2015EH,115】DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD123F

    【PMEG2015EH,115】DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD123F
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：20V・電流 - 平均整流（Io）：1.5A（DC）・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：660mV @ 1.5A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方
    ￥77.62 税込￥85.38
  • 30

    【BAT43】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35

    【BAT43】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30V・電流 - 平均整流（Io）：200mA（DC）・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1V @ 200mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：5ns・電流 - Vr印加時の逆方
    ￥71.65 税込￥78.81
  • 31

    【FQP27P06】MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3

    【FQP27P06】MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：QFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：27A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 13.5A、10V・Id印加時の
    ￥384.29 税込￥422.71
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    【IPA80R1K2P7XKSA1】MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220

    【IPA80R1K2P7XKSA1】MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：CoolMOS™ P7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：800V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：4.5A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.2オーム @ 1.7A、10V・
    ￥308.58 税込￥339.43
  • 33

    【RB706D-40T146】DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SMD3

    【RB706D-40T146】DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SMD3
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオード構成：1組直列接続・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：40V・電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）：15mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：370mV @ 1mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（t
    ￥89.56 税込￥98.51
  • 34

    【2SA1576AT106S】TRANS PNP 50V 0.15A SOT-323 TR

    【2SA1576AT106S】TRANS PNP 50V 0.15A SOT-323 TR
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：150mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：50V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：500mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断（最大）：100nA（ICBO）・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（
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    【GBPC3510】BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC

    【GBPC3510】BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
    メーカー名：
    オンセミコンダクター
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：-・ダイオードタイプ：Single Phase・技術：標準・電圧 - ピーク逆方向（最大）：1kV・電流 - 平均整流（Io）：35A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1V @ 17.5A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5µA @ 1000V・動作温度：-55°C～150°C（TJ）・取り付けタイプ：Q
    ￥865.79 税込￥952.36
  • 36

    【RBR5LAM30ATR】DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM

    【RBR5LAM30ATR】DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30V・電流 - 平均整流（Io）：5A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：540mV @ 5A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：100µ
    ￥92.54 税込￥101.79
  • 37

    【STL130N6F7】MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT

    【STL130N6F7】MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：STripFET™ F7・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：130A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.5ミリオーム @
    ￥337.15 税込￥370.86
  • 38

    【RB161MM-20TR】DIODE SCHOTTKY 25V 1A PMDU

    【RB161MM-20TR】DIODE SCHOTTKY 25V 1A PMDU
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：25V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：350mV @ 1A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：700µ
    ￥83.59 税込￥91.94
  • 39

    【IRF9540STRLPBF】MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

    【IRF9540STRLPBF】MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
    メーカー名：
    VISHAY
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：200ミリオーム @ 11A、10V・Id印
    ￥475.35 税込￥522.88
  • 40

    【SR206-TP】DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO41

    【SR206-TP】DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO41
    メーカー名：
    Micro Commercial Co
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：60V・電流 - 平均整流（Io）：2A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：700mV @ 2A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1mA
    ￥73.14 税込￥80.45
  • 41

    【PMEG3010EH,115】DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123F

    【PMEG3010EH,115】DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123F
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30V・電流 - 平均整流（Io）：1A（DC）・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：560mV @ 1A・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：
    ￥64.18 税込￥70.59
  • 42

    【1N4148WT-7】DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

    【1N4148WT-7】DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523
    メーカー名：
    Diodes Inc
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：80V・電流 - 平均整流（Io）：125mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1V @ 50mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：4ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1µA @
    ￥49.13 税込￥54.04
  • 43

    【1SS416,L3M】DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923

    【1SS416,L3M】DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923
    メーカー名：
    東芝
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30V・電流 - 平均整流（Io）：100mA・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：500mV @ 100mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
    ￥63.16 税込￥69.47
  • 44

    【SI2333-TP】MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

    【SI2333-TP】MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
    メーカー名：
    Micro Commercial Co
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：15ミリオーム @ 500mA、1.5V・Id
    ￥79.11 税込￥87.02
  • 45

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 46

    【BAT54,215】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA TO236AB

    【BAT54,215】DIODE SCHOTTKY 30V 200MA TO236AB
    メーカー名：
    NEXPERIA
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：30V・電流 - 平均整流（Io）：200mA（DC）・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：800mV @ 100mA・速度：小信号 =< 200mA（Io）、任意のスピード・逆回復時間（trr）：5ns・電流 - Vr印加時
    ￥38.60 税込￥42.46
  • 47

    【6A04-G】DIODE GEN PURP 400V 6A P600

    【6A04-G】DIODE GEN PURP 400V 6A P600
    メーカー名：
    Comchip Technology
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400V・電流 - 平均整流（Io）：6A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.1V @ 6A・速度：標準リカバリ >500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：5µA @ 40
    ￥110.45 税込￥121.49
  • 48

    【RRU1LAM4STR】DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM

    【RRU1LAM4STR】DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：標準・電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）：400V・電流 - 平均整流（Io）：1A・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：1.3V @ 800mA・速度：高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）・逆回復時間（trr）：400ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：1
    ￥97.02 税込￥106.72
  • 49

    【YFZVFHTR12B】DIODE ZENER 11.74V 500MW TUMD2M [digi-reel品] DigiReel商品

    【YFZVFHTR12B】DIODE ZENER 11.74V 500MW TUMD2M [digi-reel品]
    メーカー名：
    ROHM
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：Automotive, AEC-Q101・電圧 - ツェナー（公称）（Vz）：11.74V・許容誤差：±2.51%・電力 - 最大：500mW・インピーダンス（最大）（Zzt）：12 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ：200nA @ 9V・電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）：-・動作温度：1
    ￥73.14 税込￥80.45
  • 50

    【TIP127】TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220

    【TIP127】TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220
    メーカー名：
    STマイクロエレクトロニクス
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・トランジスタタイプ：PNP - ダーリントン・電流 - コレクタ（Ic）（最大）：5A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：100V・Vce飽和（最大） @ lb、Ic：4V @ 20mA、5A・電流 - コレクタ遮断（最大）：500µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）：1000 @
    ￥132.84 税込￥146.12
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