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ディスクリート半導体製品(DigiKey)

検索結果 128,178件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:1.5A・電圧:500V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,202.36 税込¥1,322.59
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時の
    101.50 税込¥111.65
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 3A、4.5V・Id印加時
    20.91 税込¥23.00
  • メーカー名:
    IXYS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:-・構造:直列接続 - 全SCR・SCR、ダイオードの数:2 SCRs・電圧 - オフ状態:1.4kV・電流 - オン状態(It(AV))(最大):116A・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):180A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):2.5V・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):150mA・電流
    5,459.10 税込¥6,005.01
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:NおよびPチャンネル・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4A、3.7A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):65ミリオーム @ 3.1A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):3
    185.72 税込¥204.29
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:1.2A・電圧:500V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,139.75 税込¥1,253.72
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):580mV @ 200mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
    64.92 税込¥71.41
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    66.67 税込¥73.33
  • メーカー名:
    GeneSiC Semiconductor
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:-・ダイオードタイプ:Single Phase・技術:標準・電圧 - ピーク逆方向(最大):1kV・電流 - 平均整流(Io):50A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1V @ 25A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5µA @ 1000V・動作温度:-55°C~150°C(TJ)・取り付けタイプ:QCタ
    726.67 税込¥799.33
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:Motion SPM® 5・タイプ:MOSFET・構成:3相・電流:2A・電圧:500V・電圧 - 絶縁:1500Vrms・取り付けタイプ:面実装・パッケージ/ケース:23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
    1,479.55 税込¥1,627.50
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):500V・電流 - 最大:-・Vr、F印加時の静電容量:0.5pF @ 100V、1MHz・If、F印加時の抵抗:600ミリオーム @ 100mA、100MHz・電力散逸(最大):7.5W・動作温度:-65°C~175°C(TJ)・パ
    1,028.21 税込¥1,131.03
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100
    464.39 税込¥510.82
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 5mA、50mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    66.67 税込¥73.33
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):28A(Ta)、50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5ミリオーム @
    175.72 税込¥193.29
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):22A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):15ミリオーム @ 5A
    92.54 税込¥101.79
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):62A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):8.7ミリオーム @ 31A、10V・
    190.00 税込¥209.00
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):230mV @ 100mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5
    70.15 税込¥77.16
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:アバランチ・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1V @ 3A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):7.5µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:1µA
    192.86 税込¥212.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):32V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:600mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    Diodes Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40V・電流 - 平均整流(Io):400mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500mV @ 400mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の
    79.11 税込¥87.02
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    最小145個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:-・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):125V・電流 - 平均整流(Io):300mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1V @ 200mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):4.5ns・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500nA
    750.28 税込¥825.30
  • メーカー名:
    WeEn Semiconductors Co. Ltd
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トライアックタイプ:ロジック - 高感度ゲート・電圧 - オフ状態:600V・電流 - オン状態(It(RMS))(最大):16A・電圧 - ゲートトリガ(Vgt)(最大):1.5V・電流 - 非繰り返しサージ50、60Hz(Itsm):155A、170A・電流 - ゲートトリガ(Igt)(最大):10mA・電流 -
    180.00 税込¥198.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):850ミリオーム @ 2.8A、10V・Id印加時のVg
    482.20 税込¥530.42
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):47A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 25A、10V・Id印
    242.86 税込¥267.14
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):150V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):4.1A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):66ミリオーム
    208.58 税込¥229.43
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):27V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1W・インピーダンス(最大)(Zzt):35 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5µA @ 20.6V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・取り付けタイプ:スルーホール・
    68.43 税込¥75.27
  • メーカー名:
    サンケン電気
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):800V・電流 - 平均整流(Io):1.2A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):920mV @ 1.2A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):18µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:
    97.02 税込¥106.72
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:8 NPNダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):500mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.6V @ 500µA、350mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100
    464.39 税込¥510.82
  • メーカー名:
    Diodes Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:Digi-Reel®・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):115mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5オーム @ 50mA、5V・Id
    45.62 税込¥50.18
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs(
    475.35 税込¥522.88
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):12V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):105ミリオーム @ 2A、4.5V
    95.53 税込¥105.08
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100V・電流 - 平均整流(Io):1.5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.4V @ 1.5A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):2µs・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5µ
    71.65 税込¥78.81
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.6A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.5オーム @ 1.6A、10V・Id印加時のVgs(
    255.72 税込¥281.29
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):300V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Tj)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):0V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):12オーム @ 150mA、0V・Id印加
    145.72 税込¥160.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):20V・抵抗 - ベース(R1):4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):820 @ 50
    70.15 税込¥77.16
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):13V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1W・インピーダンス(最大)(Zzt):10 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5µA @ 9.9V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):-・動作温度:-65°C~200°C・取り付けタイプ:スルーホール・パ
    66.67 税込¥73.33
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:PowerMESH™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):1500V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.5A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9オーム @ 1.3A、10V・Id
    774.67 税込¥852.13
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:Nチャンネル・周波数:500MHz・ゲイン:26dB・電圧 - テスト:6V・定格電流(A):30mA・雑音指数:1.4dB・電流 - テスト:10mA・電源 - 出力:-・電圧 - 定格:12.5V・パッケージ/ケース:SC-82A、SOT-343・サプライヤデバイスパッケージ:US
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):2.2A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):75ミリオーム @ 2.2A、10
    86.57 税込¥95.22
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):16ミリオーム @ 7.5A、4
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):40V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):650mV @ 1A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:550n
    80.60 税込¥88.66
  • メーカー名:
    Comchip Technology
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:Single Phase・技術:ショットキー・電圧 - ピーク逆方向(最大):40V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):440mV @ 1A・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500µA @ 40V・動作温度:-55°C~125°C(TJ)・
    275.72 税込¥303.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - プリバイアス・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・抵抗 - ベース(R1):4.7 kOhms・抵抗 - エミッタベース(R2):10 kOhms・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):3
    43.86 税込¥48.24
  • メーカー名:
    Diodes Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10
    85.08 税込¥93.58
  • メーカー名:
    TEXAS INSTRUMENTS
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:NexFET™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):25V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):19A(Ta)、60A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):5.3ミ
    217.15 税込¥238.86
  • メーカー名:
    インフィニオン
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    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:PIN - シングル・電圧 - ピーク逆方向(最大):150V・電流 - 最大:100mA・Vr、F印加時の静電容量:0.35pF @ 20V、1MHz・If、F印加時の抵抗:1.35オーム @ 100mA、100MHz・電力散逸(最大):250mW・動作温度:150°C(TJ)・パッケ
    68.66 税込¥75.52
  • メーカー名:
    Diodes Inc
    型番:
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    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル2個およびPチャンネル2個(Hブリッジ)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6A、4.2A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):25ミリオーム @ 5A、10V・Id印加時のVgs(th)(
    167.15 税込¥183.86
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):160V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1.5V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    79.11 税込¥87.02
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):3A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:135mV @ 100mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):3
    132.84 税込¥146.12
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
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    出荷予定日:
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    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):700V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 1.6A、4.5A・電流 - コレクタ遮断(最大):200µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):10 @ 100mA、5V
    526.03 税込¥578.63
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