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　[ メーカー:インフィニオン ]の検索結果

検索結果 10,449件中1～50件目
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検索結果： 1 ～ 50 件 / 全 4,000件
  • 1

    【IKCM30F60GDXKMA1】IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP

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    【IKCM30F60GDXKMA1】IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
    メーカー名：
    インフィニオン
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    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：CIPOS™・タイプ：IGBT・構成：3相・電流：30A・電圧：600V・電圧 - 絶縁：2000Vrms・取り付けタイプ：スルーホール・パッケージ/ケース：24-PowerDIPモジュール（1.028インチ、26.10mm）
    ￥3,023.87 税込￥3,326.25
  • 2

    【IR2121PBF】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

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    【IR2121PBF】IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
    メーカー名：
    インフィニオン
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ローサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：12V～18V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.2V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1.6A、3.3A・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ
    ￥710.67 税込￥781.73
  • 3

    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

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    【IRFP260NPBF】MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
    メーカー名：
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    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：バルク・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：50A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    ￥661.34 税込￥727.47
  • 4

    【BSZ100N06LS3GATMA1】MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

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    【BSZ100N06LS3GATMA1】MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
    メーカー名：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：11A（Ta）、20A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：10ミ
    ￥202.86 税込￥223.14
  • 5

    【BTS6142DAUMA1】IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5

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    【BTS6142DAUMA1】IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5
    メーカー名：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：PROFET®・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：5.5V～38V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：33A・Rds On（標準）：10ミリオーム・入力タ
    ￥517.81 税込￥569.59
  • 6

    【EVAL-M1-1302-05-84D】【在庫処分セール】iMOTION Modular Application Design Kit

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    【EVAL-M1-1302-05-84D】【在庫処分セール】iMOTION Modular Application Design Kit
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    3個
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    在庫一掃セール品の為、売り切れの際はご容赦ください。※表示価格は自社在庫分限りとなります。Description:This Evaluation Kit is a compact and flexible 3-phase motor drive system solution platform with control card and power stage, po
    ￥15,700.00 税込￥17,270.00
  • 7

    【BTS5012SDAAUMA1】IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5

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    【BTS5012SDAAUMA1】IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5
    メーカー名：
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    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：PROFET®・スイッチタイプ：汎用・出力数：1・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：5.5V～20V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：6A・Rds On（標準）：12ミリオーム・入力タイ
    ￥493.16 税込￥542.47
  • 8

    【BSC0909NSATMA1】MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON

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    【BSC0909NSATMA1】MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
    メーカー名：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：OptiMOS™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：34V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：12A（Ta）、44A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：9.2
    ￥143.29 税込￥157.61
  • 9

    【IR2117SPBF】IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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    【IR2117SPBF】IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ハイサイド・チャンネルタイプ：シングル・ドライバ数：1・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：6V、9.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：250mA、500mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ
    ￥411.43 税込￥452.57
  • 10

    【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

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    【IRLML6402TRPBF】MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：3.7A（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：2.5V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：65ミリオーム @
    ￥88.06 税込￥96.86
  • 11

    【IRS2104PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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    【IRS2104PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラ
    ￥364.29 税込￥400.71
  • 12

    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

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    【IRLZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：47A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：22ミリオーム @ 25A、10V・Id印
    ￥242.86 税込￥267.14
  • 13

    【IRF640NPBF】MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

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    【IRF640NPBF】MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
    メーカー名：
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：150ミリオーム @ 11A、10V・Id印加
    ￥211.43 税込￥232.57
  • 14

    【IRF9Z34NPBF】MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

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    【IRF9Z34NPBF】MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
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    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：19A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：100ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時
    ￥178.58 税込￥196.43
  • 15

    【IRS2008STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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    【IRS2008STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    メーカー名：
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    型番：
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    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートス
    ￥210.00 税込￥231.00
  • 16

    【EVAL-M1-099M-C】iMOTION Modular Application Design Kit

    【EVAL-M1-099M-C】iMOTION Modular Application Design Kit
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    3個
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    【仕様】シリーズiMOTIONタイプ電源管理機能モータコントローラ/ドライバ使用IC/パーツIRMCK099M供給内容ボード
    ￥7,599.00 税込￥8,358.00
  • 17

    【IR21531STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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    【IR21531STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～15.6V・論理電圧 - VIL、VIH：-・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：-・入力タイプ：RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）：600V・立ち
    ￥454.80 税込￥500.28
  • 18

    【IRS2153DPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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    【IRS2153DPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～15.4V・論理電圧 - VIL、VIH：-・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：180mA、260mA・入力タイプ：RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）：600V
    ￥463.02 税込￥509.32
  • 19

    【IRFB4310ZPBF】MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

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    【IRFB4310ZPBF】MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
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    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：120A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6ミリオーム @ 75A、10V・Id印加時
    ￥549.34 税込￥604.27
  • 20

    【IR21531DPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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    【IR21531DPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～15.6V・論理電圧 - VIL、VIH：-・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：-・入力タイプ：RC入力回路・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）：600V・立ち上がり/立ち下
    ￥473.98 税込￥521.37
  • 21

    【BAT1503WE6327HTSA1】DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2

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    【BAT1503WE6327HTSA1】DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・ダイオードタイプ：ショットキー - シングル・電圧 - ピーク逆方向（最大）：4V・電流 - 最大：110mA・Vr、F印加時の静電容量：0.35pF @ 0V、1MHz・If、F印加時の抵抗：-・電力散逸（最大）：100mW・動作温度：150°C（TJ）・パッケージ/ケース：SC-76、SOD-323・
    ￥97.02 税込￥106.72
  • 22

    【IRLR7843TRPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

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    【IRLR7843TRPBF】MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：161A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：3.3ミリオーム @
    ￥265.72 税込￥292.29
  • 23

    【IRFZ24NPBF】MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB

    品質ランクアイコン
    【IRFZ24NPBF】MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：70ミリオーム @ 10A、10V・Id印加時の
    ￥135.83 税込￥149.41
  • 24

    【IRF8010PBF】MOSFET

    【IRF8010PBF】MOSFET
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    箱番号：
    2552-10
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    出荷予定日：
    即納在庫数：
    5個
    商品説明
    【仕様】・パッケージ：TO-220AB・構造：・VDSS：100V・ID：80A・Pc(Tc=25℃)：・VGS(OFF)：・Yfs(min)：・RDS(max)：15mΩ・Ciss：3830pF(標準)　(Vds=25V　ｆ=1MHz)・Ton：15ns(標準)　(Vgs=10V　Id=80A)・コンプリ：・用途：・入数：1個・備考：●スイッチング時間が速いので高速
    ￥394.00 税込￥433.00
  • 25

    【BTS50452EKAXUMA1】IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14 [digi-reel品] DigiReel商品

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    【BTS50452EKAXUMA1】IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14 [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：PROFET®・スイッチタイプ：汎用・出力数：2・レシオ - 入力：出力：1：1・出力構成：ハイサイド・出力タイプ：Nチャンネル・インターフェース：オン/オフ・電圧 - 負荷：8V～18V・電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要・電流 - 出力（最大）：3A・Rds On（標準）：85ミリオーム・入力タイプ：非
    ￥404.29 税込￥444.71
  • 26

    【IRS2308STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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    【IRS2308STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大
    ￥321.43 税込￥353.57
  • 27

    【BFP640ESDH6327XTSA1】RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343

    品質ランクアイコン
    【BFP640ESDH6327XTSA1】RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    最小3,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・トランジスタタイプ：NPN・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）：4.7V・周波数 - トランジション：46GHz・雑音指数（fあたりの標準dB）：0.6dB～2dB @ 150MHz～10GHz・ゲイン：7dB～30dB・電力 - 最大：200mW・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE
    ￥38.57 税込￥42.42
  • 28

    【SPD18P06PGBTMA1】MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

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    【SPD18P06PGBTMA1】MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：SIPMOS®・FETタイプ：Pチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：18.6A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：130ミリオーム @ 13.2
    ￥255.72 税込￥281.29
  • 29

    【IR2101PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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    【IR2101PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：210mA、360mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ
    ￥550.67 税込￥605.73
  • 30

    【BSP149H6327XTSA1】MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 [digi-reel品] DigiReel商品

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    【BSP149H6327XTSA1】MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 [digi-reel品]
    メーカー名：
    インフィニオン
    型番：
    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：SIPMOS®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：660mA（Ta）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：0V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.8オーム @ 660
    ￥251.43 税込￥276.57
  • 31

    【IRFS7430TRL7PP】MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

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    【IRFS7430TRL7PP】MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
    メーカー名：
    インフィニオン
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    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：HEXFET®, StrongIRFET™・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：240A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：6V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）
    ￥628.00 税込￥690.80
  • 32

    【IRS2011STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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    【IRS2011STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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    最小2,500個から購入可能
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    【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.7V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1A、1A・入力タイプ：反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）：2
    ￥188.89 税込￥207.77
  • 33

    【IR21834PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

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    【IR21834PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1.9A、2.3A・入力タイプ：反転、非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートスト
    ￥1,025.65 税込￥1,128.21
  • 34

    【IRS2308STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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    【IRS2308STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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    【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大
    ￥125.93 税込￥138.52
  • 35

    【IRS2308STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

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    【IRS2308STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC [digi-reel品]
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    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（
    ￥321.43 税込￥353.57
  • 36

    【BSC016N04LSGATMA1】MOSFET N CH 40V 100A TDSON-8

    【BSC016N04LSGATMA1】MOSFET N CH 40V 100A TDSON-8
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    MOSFET N CH 40V 100A TDSON-8 Transistor Polarity:N Channel Continuous Drain Current Id:100A Drain Source Voltage Vds:40V On Resistance Rds(on):0.0013ohm Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
    ￥663.00 税込￥729.00
  • 37

    【IRLU3410PBF】MOSFET N-CH 100V 17A IPAK

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    【IRLU3410PBF】MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：17A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：105ミリオーム @ 10A、10V・I
    ￥201.43 税込￥221.57
  • 38

    【IRS2011STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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    【IRS2011STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.7V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1A、1A・入力タイプ：反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）：2
    ￥412.33 税込￥453.56
  • 39

    【IRF3205ZLPBF】MOSFET N-CH 55V 75A TO262

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    【IRF3205ZLPBF】MOSFET N-CH 55V 75A TO262
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：75A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：6.5ミリオーム @ 66A、10V・Id印加時
    ￥331.43 税込￥364.57
  • 40

    【IR2101STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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    【IR2101STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、3V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：210mA、360mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブ
    ￥401.43 税込￥441.57
  • 41

    【IR21844STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

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    【IR21844STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
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    【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.7V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：1.9A、2.3A・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブ
    ￥355.25 税込￥390.77
  • 42

    【ESD5V5U5ULCE6327HTSA1】TVS DIODE 5.5VWM 12VC SC74-6

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    【ESD5V5U5ULCE6327HTSA1】TVS DIODE 5.5VWM 12VC SC74-6
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    【仕様】・パッケージング：カット テープ（CT）・シリーズ：-・タイプ：ツエナー・一方向チャンネル：5・双方向チャンネル：-・電圧 - 逆スタンドオフ（標準）：5.5V（最大）・電圧 - ブレークダウン（最小）：-・電圧 - クランピング（最大）@ Ipp：12V（標準）・電流 - ピークパルス（10/1000μs）：3A（8/20µs）・電力 - ピークパルス：-・
    ￥89.56 税込￥98.51
  • 43

    【IRLB3813PBF】MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

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    【IRLB3813PBF】MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：260A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：1.95ミリオーム @ 60A、10
    ￥328.58 税込￥361.43
  • 44

    【IRFP3006PBF】MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC

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    【IRFP3006PBF】MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：195A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：2.5ミリオーム @ 170A、10V・Id印加時のVgs
    ￥1,144.88 税込￥1,259.36
  • 45

    【IR2110STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

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    【IR2110STRPBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC [digi-reel品]
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    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：3.3V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：6V、9.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：2A、2A・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラッ
    ￥566.67 税込￥623.33
  • 46

    【IRS2108PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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    【IRS2108PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    メーカー名：
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    最小3,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：独立・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.5V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：290mA、600mA・入力タイプ：反転、非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブート
    ￥329.73 税込￥362.70
  • 47

    【ESD113B102ELSE6327XTSA1】TVS DIODE 3.6VWM 8VC TSSLP-2-4

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    【ESD113B102ELSE6327XTSA1】TVS DIODE 3.6VWM 8VC TSSLP-2-4
    メーカー名：
    インフィニオン
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    最小15,000個から購入可能
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    【仕様】・パッケージング：テープ＆リール（TR）・シリーズ：-・タイプ：ツエナー・一方向チャンネル：-・双方向チャンネル：1・電圧 - 逆スタンドオフ（標準）：3.6V（最大）・電圧 - ブレークダウン（最小）：-・電圧 - クランピング（最大）@ Ipp：8V・電流 - ピークパルス（10/1000μs）：3A（8/20µs）・電力 - ピークパルス：-・パワーライ
    ￥13.16 税込￥14.47
  • 48

    【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC [digi-reel品] DigiReel商品

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    【IRF7319TRPBF】MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC [digi-reel品]
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    【仕様】・パッケージング：Digi-Reel®・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：NおよびPチャンネル・FET機能：標準・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：-・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：29ミリオーム @ 5.8A、10V・Id印加時のVgs（th）（最大）：1V @ 250µA・Vgs印加時
    ￥218.58 税込￥240.43
  • 49

    【IRFZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

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    【IRFZ44NPBF】MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
    メーカー名：
    インフィニオン
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    出荷予定日：
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：HEXFET®・FETタイプ：Nチャンネル・技術：MOSFET（金属酸化物）・ドレイン～ソース間電圧（Vdss）：55V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）：49A（Tc）・駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：10V・Id、Vgs印加時のRds On（最大）：17.5ミリオーム @ 25A、10V・Id印加
    ￥254.29 税込￥279.71
  • 50

    【IR21094PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

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    【IR21094PBF】IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
    メーカー名：
    インフィニオン
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    出荷予定日：
    最小1,500個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング：チューブ・シリーズ：-・駆動構成：ハーフブリッジ・チャンネルタイプ：同期・ドライバ数：2・ゲートタイプ：IGBT、NチャンネルMOSFET・電圧 - 供給：10V～20V・論理電圧 - VIL、VIH：0.8V、2.9V・電流 - ピーク出力（ソース/シンク）：200mA、350mA・入力タイプ：非反転・ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラ
    ￥413.69 税込￥455.05
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