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ディスクリート半導体製品(DigiKey)

検索結果 106,687件中150件目
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検索結果: 150 件 / 全 4,000
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):30V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:500mW・インピーダンス(最大)(Zzt):100 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:50nA @ 21V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5V @ 200mA・動作温度:-55°C~175°C・取
    49.13 税込¥54.04
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):5.1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 255mA、5.1A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
    34.12 税込¥37.53
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:CIPOS™・タイプ:IGBT・構成:3相・電流:30A・電圧:600V・電圧 - 絶縁:2000Vrms・取り付けタイプ:スルーホール・パッケージ/ケース:24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
    3,023.87 税込¥3,326.25
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100V・電流 - 平均整流(Io):100mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450mV @ 1mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方
    14.67 税込¥16.13
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):250A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2V @ 200A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):54ns
    3,157.96 税込¥3,473.75
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    最小4,000個から購入可能
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:テープ&リール(TR)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100V・電流 - 平均整流(Io):150mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450mV @ 10mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆
    13.35 税込¥14.68
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN - ダーリントン・電流 - コレクタ(Ic)(最大):8A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):100V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:2.5V @ 80mA、8A・電流 - コレクタ遮断(最大):50µA・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):1000
    201.43 税込¥221.57
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:Military, MIL-PRF-19500/477・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):150V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):875mV @ 1A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):25ns・電流
    6,100.00 税込¥6,710.00
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):100V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):435A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):2.15ミリオーム @ 200A、10V・Id印加時のV
    3,557.96 税込¥3,913.75
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:Automotive, AEC-Q101・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):30mA(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):370mV @ 1mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr
    80.60 税込¥88.66
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):6.2V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:500mW・インピーダンス(最大)(Zzt):7 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:5µA @ 4V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.1V @ 200mA・動作温度:-・取り付けタイプ:スルーホール
    40.36 税込¥44.39
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:2 NPN(デュアル)コモンベース・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):120V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加
    85.08 税込¥93.58
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:2独立・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):45V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):120A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):670mV @ 120A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流
    3,720.46 税込¥4,092.50
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:HEXFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):50A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):40ミリオーム @ 28A、10V・Id印加時の
    661.34 税込¥727.47
  • メーカー名:
    Wolfspeed
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:Z-Rec®・ダイオードタイプ:シリコンカーバイドショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1200V・電流 - 平均整流(Io):10A(DC)・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.8V @ 2A・速度:回復時間なし > 500mA(Io)・逆回復時間(trr):0ns・電流 - Vr印加時の逆方
    505.48 税込¥556.02
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):2A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:170mV @ 200mA、2A・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    89.56 税込¥98.51
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):60V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):11A(Ta)、20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):10ミ
    202.86 税込¥223.14
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:TrenchFET®・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):3.77A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):33ミリオー
    144.29 税込¥158.71
  • メーカー名:
    Diodes Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):30V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1W・インピーダンス(最大)(Zzt):15 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500nA @ 22.8V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2V @ 200mA・動作温度:-65°C~150°C・取り
    94.03 税込¥103.43
  • メーカー名:
    MACOM Technology Solutions
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー - 1ペア直列接続・電圧 - ピーク逆方向(最大):1.5V・電流 - 最大:-・Vr、F印加時の静電容量:-・If、F印加時の抵抗:-・電力散逸(最大):-・動作温度:-65°C~125°C(TJ)・パッケージ/ケース:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3・サプ
    285.72 税込¥314.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):90V・電流 - 平均整流(Io):200mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):490mV @ 200mA・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏
    77.62 税込¥85.38
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):39V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:1.5W・インピーダンス(最大)(Zzt):45 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500nA @ 29.7V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.5V @ 200mA・動作温度:-65°C~150°C・
    70.15 税込¥77.16
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:PowerTrench®・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A、13A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 6A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大
    175.72 税込¥193.29
  • メーカー名:
    Micro Commercial Co
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):600V・電流 - 平均整流(Io):6A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):950mV @ 6A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:10µA @
  • メーカー名:
    Microchip
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:Military, MIL-PRF-19500/255・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):800mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):50nA・Ic、Vce印加時のDC電
    5,259.10 税込¥5,785.01
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・ダイオード構成:1組共通カソード・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):10A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):860mV @ 10A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):
    554.67 税込¥610.13
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):490mV @ 5A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:150µ
    123.89 税込¥136.27
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS):35V・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss):2mA @ 15V・電流ドレイン(Id) - 最大:-・電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ):500mV @ 1µA・Vds印加時の入力
    79.11 税込¥87.02
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:2 Nチャンネル(デュアル)・FET機能:論理レベルゲート・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):7A、 11A・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17.9ミリオーム @ 7A、10V・Id印加時のVgs(th)(最大):2.5V @
    123.89 税込¥136.27
  • メーカー名:
    インフィニオン
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:OptiMOS™・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):34V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Ta)、44A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):9.2
    143.29 税込¥157.61
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):20A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):180ミリオーム @ 12A、10V・Id印加時のVgs(
    475.35 税込¥522.88
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):700mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE
    70.15 税込¥77.16
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):600mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):40V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:750mV @ 50mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):-・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):100
    70.15 税込¥77.16
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):100V・電流 - 平均整流(Io):1A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):770mV @ 1A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:4µA
    95.53 税込¥105.08
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:SWITCHMODE™・ダイオード構成:1組共通カソード・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):200V・電流 - 平均整流(Io)(ダイオード当たり):8A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):975mV @ 8A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(t
    308.58 税込¥339.43
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:U-MOSVIII-H・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):40V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):17.8ミリオー
    275.72 税込¥303.29
  • メーカー名:
    STマイクロエレクトロニクス
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:NPN・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):400V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:1V @ 200mA、1A・電流 - コレクタ遮断(最大):10µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小):60
    111.95 税込¥123.14
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:PNP・電流 - コレクタ(Ic)(最大):1A・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:400mV @ 25mA、500mA・電流 - コレクタ遮断(最大):1µA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
    79.11 税込¥87.02
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:SUPERECTIFIER®・ダイオードタイプ:標準・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):1500V・電流 - 平均整流(Io):3A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2V @ 3A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):20µs・電流 - Vr印
    292.86 税込¥322.14
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):-・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):10mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):-・Id、Vgs印加時のRds On(最大):-・Id印加時のVgs(th)(最大):-・Vgs印
    92.54 税込¥101.79
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):30V・電流 - 平均整流(Io):5A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):450mV @ 5A・速度:高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:800µ
    145.72 税込¥160.29
  • メーカー名:
    ROHM
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):200mA(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.2V、2.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):1.2オーム @ 200mA、
    73.14 税込¥80.45
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:バルク・シリーズ:-・ダイオードタイプ:標準、 逆極性・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):400V・電流 - 平均整流(Io):70A・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.35V @ 220A・速度:標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:15mA @
    1,481.82 税込¥1,630.00
  • メーカー名:
    NEXPERIA
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):9.1V・許容誤差:±2%・電力 - 最大:400mW・インピーダンス(最大)(Zzt):15 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500nA @ 6V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):900mV @ 10mA・動作温度:-65°C~200°C・取
    52.64 税込¥57.90
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・ダイオードタイプ:ショットキー・電圧 - DC逆方向(Vr)(最大):10V・電流 - 平均整流(Io):100mA・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):500mV @ 100mA・速度:小信号 =< 200mA(Io)、任意のスピード・逆回復時間(trr):-・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
    47.37 税込¥52.10
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):30V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):15A(Ta)、40A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V、10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):7.5ミリオーム @
    80.60 税込¥88.66
  • メーカー名:
    VISHAY
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:チューブ・シリーズ:-・FETタイプ:Pチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):200V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):12A(Tc)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):500ミリオーム @ 7.2A、10V・Id印加時のVgs
    520.55 税込¥572.60
  • メーカー名:
    東芝
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・トランジスタタイプ:2 PNP(デュアル)・電流 - コレクタ(Ic)(最大):100mA・電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):120V・Vce飽和(最大) @ lb、Ic:300mV @ 1mA、10mA・電流 - コレクタ遮断(最大):100nA(ICBO)・Ic、Vce印加時のDC電流
    85.08 税込¥93.58
  • メーカー名:
    オンセミコンダクター
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・電圧 - ツェナー(公称)(Vz):120V・許容誤差:±5%・電力 - 最大:5W・インピーダンス(最大)(Zzt):170 Ohms・電流 - Vr印加時の逆方向漏れ:500nA @ 91.2V・電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大):1.2V @ 1A・動作温度:-65°C~200°C・取り付
    88.06 税込¥96.86
  • メーカー名:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc
    型番:
    出荷予定日:
    商品説明
    【仕様】・パッケージング:カット テープ(CT)・シリーズ:-・FETタイプ:Nチャンネル・技術:MOSFET(金属酸化物)・ドレイン~ソース間電圧(Vdss):20V・電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):6.5A(Ta)・駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V、4.5V・Id、Vgs印加時のRds On(最大):22ミリオーム @ 6.5A、4
    70.15 税込¥77.16
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